شرکتهای فعال در حوزه ریختهگری نیمههادی بارها اعلام کردهاند که بحران زنجیره تأمین تراشه به این زودیها بهبود نخواهد یافت. ساخت کارخانههای جدید میتواند بخشی از مشکلات صنعت را کاهش دهد و این دقیقاً همان برنامهای است که SK Hynix برای چند سال آینده در نظر دارد.
طبق گزارشها، SK Hynix سرمایهگذاری عظیمی را برای تقویت ظرفیت تولید محصولات DRAM و حافظه فلش NAND اعلام کرده است. این شرکت کرهای که یکی از سه تولیدکننده بزرگ حافظه در جهان در کنار سامسونگ و مایکرون محسوب میشود، ۵۴ تریلیون وون (معادل ۳۸ میلیارد دلار) برای ساخت دو کارخانه جدید Y2 و M17 به ترتیب در یونگین (Yongin) و چونگجو (Cheongju) کره جنوبی هزینه خواهد کرد.
افزایش ظرفیت تولید تراشههای DRAM
این کارخانههای جدید بخشی از استراتژی سرمایهگذاری گسترده ۷۰۰ تریلیون وونی این شرکت هستند. Y2 دومین مورد از چهار کارخانه برنامهریزیشده در خوشه نیمههادی یونگین است که ظرفیت تولید DRAM را افزایش میدهد. ساخت این کارخانه از ژوئیه ۲۰۲۷ آغاز میشود و اولین اتاق تمیز (Cleanroom) آن تا ژوئن ۲۰۲۹ برای استقرار تجهیزات تولید حافظه با پهنای باند بالا و تراشههای نسل جدید DRAM آماده خواهد شد.
از سوی دیگر، ساخت کارخانه M17 از فوریه ۲۰۲۷ آغاز میشود. این مجموعه نخستین اتاق تمیز خود را در دسامبر ۲۰۲۸ افتتاح میکند و تمرکز اصلی آن بر تولید حافظههای NAND Flash خواهد بود.
SK Hynix میگوید که حافظههای HBM به یکی از پرتقاضاترین محصولات جهان تبدیل شدهاند؛ چرا که انویدیا، AMD و سایر شرکتها برای تأمین حافظه موردنیاز شتابدهندههای هوش مصنوعی در دیتاسنترها رقابت سختی با یکدیگر دارند. همچنین تقاضا برای NAND جهت استفاده در حافظههای SSD سازمانی و فرایندهای استنتاج هوش مصنوعی به شدت درحال رشد است.
